華中科技大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試《半導(dǎo)體光電器件(二)》考試大綱

(科目代碼：906)

一、考試說明

1. 考試性質(zhì)

該入學(xué)考試是為華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科招收碩士研究生而設(shè)置的。它的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)是高等學(xué)校優(yōu)秀本科畢業(yè)生能達(dá)到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有較好的電子技術(shù)理論基礎(chǔ)。

考試對(duì)象為參加全國(guó)碩士研究生入學(xué)考試的考生。

3. 評(píng)價(jià)目標(biāo)

本課程考試的目的是考察學(xué)生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解決光電器件技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)問題的能力。

4. 考試形式與試卷結(jié)構(gòu)

(1)答卷方式：閉卷，筆試。

(2)答題時(shí)間：180分鐘。

(3)各部分內(nèi)容的考查比例：滿分150分。

固體物理 20%

半導(dǎo)體物理 80%

(4)題型：以分析、計(jì)算題為主。

二、考察要點(diǎn)

1. 晶體結(jié)構(gòu)與能帶理論

晶向、晶面、晶體點(diǎn)陣，點(diǎn)群的基本概念，幾種固體結(jié)合的特性，晶格振動(dòng)，光學(xué)波、聲學(xué)波，晶格熱傳導(dǎo)，倒易空間，布里淵區(qū)

2. 半導(dǎo)體基本概念

金屬、半導(dǎo)體和絕緣體的區(qū)分，禁帶寬度，摻雜類型與濃度計(jì)算，晶體缺陷，費(fèi)米分布函數(shù)，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，電導(dǎo)率與遷移率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，非平衡載流子的壽命與復(fù)合，載流子的遷移與擴(kuò)散

3. 半導(dǎo)體同質(zhì)與異質(zhì)結(jié)

PN結(jié)及其能帶圖，PN結(jié)電流電壓特性，PN結(jié)電容與擊穿，歐姆接觸和肖特基接觸，表面態(tài)和MIS結(jié)構(gòu)的CV特性，半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體量子阱，GaN機(jī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

4. 半導(dǎo)體的光、電、熱效應(yīng)及其器件

半導(dǎo)體光學(xué)常數(shù)和光吸收，光電導(dǎo)和光電探測(cè)器，半導(dǎo)體發(fā)光和發(fā)光二極管，熱電效應(yīng)和溫差電動(dòng)勢(shì)，太陽(yáng)能電池與場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理及表征。